Nano Silicon Carbide’s Stacking Faults, Deep Level’s and Grain Boundary’s Defects
| العنوان: | Nano Silicon Carbide’s Stacking Faults, Deep Level’s and Grain Boundary’s Defects |
|---|---|
| المؤلفون: | G. S. Svechnikov, G. N. Mishinova, V. V. Lytvynenko, V. I. Vlaskin, H P Corp. Techno ro, Yongsan-dong , Daejeon, Korea, S. I. Vlaskina, V. E. Rodionov |
| المصدر: | Journal of Nano- and Electronic Physics. 10:05021-1 |
| بيانات النشر: | Sumy State University, 2018. |
| سنة النشر: | 2018 |
| مصطلحات موضوعية: | 010302 applied physics, Radiation, Materials science, Deep level, stacking fault, Stacking, 02 engineering and technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, 01 natural sciences, Carbide, silicon carbide, photoluminescence spectra, 0103 physical sciences, карбід кремнію, дефект упаковки, спектр фотолюмінесценції, General Materials Science, Grain boundary, політип, Composite material, polytype, 0210 nano-technology, Nano silicon |
| الوصف: | У роботі аналізуються фотолюмінесцентні спектри кристалів SiC з дефектами, що виникають при вирощуванні. Показано, що дефекти упаковки та глибокі рівні люмінесцентного спектру відображають закономірності політичної структури SiC .Аналіз спектру нульових фотонів дефектів упаковки, глибоких рівнів і ганиць зерен в фотолюмінесцентному спектрі дає можливість контролювати процеси фазових перетворень при вирощуванні кристалів та плівок а також при проведенні технологічних операцій. Більш того, це також дає можливість в наноструктурованому карбіді кремнію визначати положення або зсув атомів, що беруть участь в фотолюмінесценції з точністю до 0,0787 ангстрем (або 1,075 меВ). In this work, photoluminescence spectra of SiC crystals with ingrown original defects are analised It was shown that stalking fault and deep level luminescence spectra reflect the fundamental logic of the SiC polytype structure.The analysis of the zero- phonon spectra of the stalking fault, deep level, and grain boundary parts of the photoluminescence spectra makes it possible to control the processes of phase transformations within the growth process of crystals and films, as well as during the technological operations. Moreover, it makes it possible in nanostructures of silicon carbide. to determine the position or displacement of atoms participating in the photoluminescence with an accuracy of 0.0787 Angstrom (or 1.075 meV). |
| وصف الملف: | application/pdf |
| تدمد: | 2306-4277 2077-6772 |
| الوصول الحر: | https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::602e66c06c646bf026c7555de1185a43Test https://doi.org/10.21272/jnep.10Test(5).05021 |
| حقوق: | OPEN |
| رقم الانضمام: | edsair.doi.dedup.....602e66c06c646bf026c7555de1185a43 |
| قاعدة البيانات: | OpenAIRE |
| تدمد: | 23064277 20776772 |
|---|