يعرض 1 - 8 نتائج من 8 نتيجة بحث عن '"Lallement, Christophe"', وقت الاستعلام: 1.42s تنقيح النتائج
  1. 1
    كتاب
    Application of Evolutionary Algorithms for the Optimization of Genetic Regulatory Networks.

    المؤلفون: Rosati, Elise, Madec, Morgan, Rezgui, Abir, Colman, Quentin, Toussaint, Nicolas, Lallement, Christophe, Collet, Pierre

    المصدر: Applications of Evolutionary Computation (9783319312033); 2016, p184-200, 17p


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Modeling and optimization of a latched charge pump loaded by a resistive circuit.

    المؤلفون: Heitz, Jérôme, Frick, Vincent, Dumas, Norbert, Weber, Nicolas, Lallement, Christophe, Hébrard, Luc

    المصدر: Analog Integrated Circuits & Signal Processing; Jun2015, Vol. 83 Issue 3, p353-367, 15p

    مصطلحات موضوعية: ON-chip charge pumps, INTEGRATED circuits, DC-to-DC converters, CAPACITORS, ELECTRIC potential


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    An improved compact model of the electrical behaviour of the 5-contact vertical Hall-effect device.

    المؤلفون: Madec, Morgan, Schell, Jean-Baptiste, Kammerer, Jean-Baptiste, Lallement, Christophe, Hébrard, Luc

    المصدر: Analog Integrated Circuits & Signal Processing; Dec2014, Vol. 81 Issue 3, p677-691, 15p

    مصطلحات موضوعية: HALL effect devices, HALL effect, COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors, VHDL (Computer hardware description language), SPIN Hall effect, MATHEMATICAL models


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    كتاب
    Compact Modeling of Emerging Technologies with VHDL-AMS.

    المؤلفون: Huss, Sorin A., Prégaldiny, Fabien, Lallement, Christophe, Diagne, Birahim, Sallese, Jean-Michel, Krummenacher, François

    المصدر: Advances in Design & Specification Languages for Embedded Systems; 2007, p5-21, 17p


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Compact modeling of vertical hall-effect devices: electrical behavior.

    المؤلفون: Madec, Morgan, Schell, Jean-Baptiste, Kammerer, Jean-Baptiste, Lallement, Christophe, Hébrard, Luc

    المصدر: Analog Integrated Circuits & Signal Processing; Nov2013, Vol. 77 Issue 2, p183-195, 13p

    مصطلحات موضوعية: HALL effect devices, COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors, FINITE element method, MICROFABRICATION, MAGNETIC sensors, GALVANOMAGNETIC effects


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    An improved compact model for CMOS cross-shaped Hall-effect sensor including offset and temperature effects.

    المؤلفون: Madec, Morgan, Kammerer, Jean-Baptiste, Hébrard, Luc, Lallement, Christophe

    المصدر: Analog Integrated Circuits & Signal Processing; Dec2012, Vol. 73 Issue 3, p719-730, 12p

    مصطلحات موضوعية: COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors, HALL effect devices, HALL effect, SIMULATION methods & models, VERILOG (Computer hardware description language)


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    One-dimensional analytical modeling of the VDMOS transistor taking into account the thermoelectrical interactions.

    العنوان البديل: Modélisation analytique àune dimension du transistor vdmos prenant en compte les interactions thermoélectriques. (French)

    المؤلفون: Lallement, Christophe, Bouchakour, Rachid, Maurel, Thierry

    المصدر: Annals of Telecommunications; Sep1994, Vol. 49 Issue 9/10, p543-553, 11p


    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Résumés de thèse. (French)

    المؤلفون: Boyer, Philippe, Gendre, Patrick, Boughaba, Samir, Riese, Marc, Boeffard-Dosierre, Olivier, Lallement, Christophe, Berthier, Philippe, Hassaïne, Nacer

    المصدر: Annals of Telecommunications; Mar1994, Vol. 49 Issue 3/4, p212-214, 3p


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث