-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Yuan Ji, Sen Huang, Qimeng Jiang, Ruizhe Zhang, Jie Fan, Haibo Yin, Yingkui Zheng, Xinhua Wang, Ke Wei, Xinyu Liu
المصدر: Electronics; Volume 12; Issue 8; Pages: 1767
مصطلحات موضوعية: AlGaN/GaN heterostructure, non-recessed, ultrathin barrier (UTB), ohmic contact, transfer length
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Semiconductor Devices; https://dx.doi.org/10.3390/electronics12081767Test
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Haitao Zhang, Xuanwu Kang, Yingkui Zheng, Ke Wei, Hao Wu, Xinyu Liu, Tianchun Ye, Zhi Jin
المصدر: Micromachines; Volume 13; Issue 5; Pages: 748
مصطلحات موضوعية: GaN, SBD, Schottky barrier diode, simulation, capacitance collapse, acceptor trap, potential, depletion, secondary capture
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: D1: Semiconductor Devices; https://dx.doi.org/10.3390/mi13050748Test
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Haitao Zhang, Xuanwu Kang, Yingkui Zheng, Hao Wu, Ke Wei, Xinyu Liu, Tianchun Ye, Zhi Jin
المصدر: Micromachines; Volume 12; Issue 11; Pages: 1296
مصطلحات موضوعية: GaN, SBD, Schottky barrier diode, simulation, current collapse, electric field, acceptor trap, conduction band energy
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: D1: Semiconductor Devices; https://dx.doi.org/10.3390/mi12111296Test
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Pengfei Li, Shuhua Wei, Xuanwu Kang, Yingkui Zheng, Jing Zhang, Hao Wu, Ke Wei, Jiang Yan, Xinyu Liu
المصدر: Electronics; Volume 10; Issue 7; Pages: 855
مصطلحات موضوعية: AlGaN/GaN HEMTs, ohmic contact, oxygen plasma, nitrogen vacancy, inductively coupled plasma (ICP) etching
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Semiconductor Devices; https://dx.doi.org/10.3390/electronics10070855Test
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Yue Sun, Xuanwu Kang, Shixiong Deng, Yingkui Zheng, Ke Wei, Linwang Xu, Hao Wu, Xinyu Liu
المصدر: Electronics; Volume 10; Issue 4; Pages: 433
مصطلحات موضوعية: vertical, GaN SBD, L band, Schottky diode limiter, high power
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Semiconductor Devices; https://dx.doi.org/10.3390/electronics10040433Test
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Yue Sun, Xuanwu Kang, Yingkui Zheng, Ke Wei, Pengfei Li, Wenbo Wang, Xinyu Liu, Guoqi Zhang
المصدر: Nanomaterials; Volume 10; Issue 4; Pages: 657
مصطلحات موضوعية: GaN, inductively coupled plasma (ICP), mesa, sidewall profile, quasi-vertical, Schottky barrier diode (SBD), dry etch
وصف الملف: application/pdf
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Yue Sun, Xuanwu Kang, Yingkui Zheng, Jiang Lu, Xiaoli Tian, Ke Wei, Hao Wu, Wenbo Wang, Xinyu Liu, Guoqi Zhang
المصدر: Electronics; Volume 8; Issue 5; Pages: 575
مصطلحات موضوعية: GaN, Schottky barrier diode (SBD), vertical power devices, edge termination techniques
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Semiconductor Devices; https://dx.doi.org/10.3390/electronics8050575Test