التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
Cross-sectional observation in nanoscale for Si power MOSFET by atomic force microscopy/Kelvin probe force microscopy/scanning capacitance force microscopy |
| المؤلفون: |
Doi, Atsushi, Nakajima, Mizuki, Masuda, Sho, Satoh, Nobuo, Yamamoto, Hidekazu |
| المصدر: |
Japanese Journal of Applied Physics ; volume 58, issue SI, page SIIA04 ; ISSN 0021-4922 1347-4065 |
| بيانات النشر: |
IOP Publishing |
| سنة النشر: |
2019 |
| نوع الوثيقة: |
article in journal/newspaper |
| اللغة: |
unknown |
| DOI: |
10.7567/1347-4065/ab1642 |
| DOI: |
10.7567/1347-4065/ab1642/pdf |
| الإتاحة: |
https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab1642Test |
| حقوق: |
http://iopscience.iop.org/info/page/text-and-data-miningTest ; http://iopscience.iop.org/page/copyrightTest |
| رقم الانضمام: |
edsbas.E5EC030E |
| قاعدة البيانات: |
BASE |
