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1دورية أكاديمية
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Ahmeda, Khaled, Kalna, Karol, Boucherta, Mohammed, Mattalah, Maghnia, Chahdi, Hassane Ouazzani, Bourzgui, Nour Eddine, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Morres University - LJMU (UK), Cardiff Metropolitan University, Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Université Saad Dahleb (ALGERIE), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)
المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-03142223Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩.
مصطلحات موضوعية: HEMTs, MODFETs, Logic gates, Aluminum gallium nitride, Wide band gap semiconductors, Degradation, Transient analysis, [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-03142223; https://hal.science/hal-03142223Test
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2دورية أكاديمية
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Ahmeda, Khaled, Kalna, Karol, Boucherta, Mohammed, Mattalah, Maghnia, Chahdi, Hassane Ouazzani, Bourzgui, Nour Eddine, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Morres University - LJMU (UK), Cardiff Metropolitan University, Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Université Saad Dahleb (ALGERIE), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)
المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-03142223Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩.
مصطلحات موضوعية: HEMTs, MODFETs, Logic gates, Aluminum gallium nitride, Wide band gap semiconductors, Degradation, Transient analysis, [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-03142223; https://hal.science/hal-03142223Test
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3دورية أكاديمية
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Ahmeda, Khaled, Kalna, Karol, Boucherta, Mohammed, Mattalah, Maghnia, Chahdi, Hassane Ouazzani, Bourzgui, Nour Eddine, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Morres University - LJMU (UK), Cardiff Metropolitan University, Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Université Saad Dahleb (ALGERIE), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)
المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-03142223Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩.
مصطلحات موضوعية: HEMTs, MODFETs, Logic gates, Aluminum gallium nitride, Wide band gap semiconductors, Degradation, Transient analysis, [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-03142223; https://hal.science/hal-03142223Test
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4دورية أكاديمية
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Ahmeda, Khaled, Kalna, Karol, Boucherta, Mohammed, Mattalah, Maghnia, Chahdi, Hassane Ouazzani, Bourzgui, Nour Eddine, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Morres University - LJMU (UK), Cardiff Metropolitan University, Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Université Saad Dahleb (ALGERIE), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)
المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-03142223Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩.
مصطلحات موضوعية: HEMTs, MODFETs, Logic gates, Aluminum gallium nitride, Wide band gap semiconductors, Degradation, Transient analysis, [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-03142223; https://hal.science/hal-03142223Test
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5دورية أكاديمية
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Ahmeda, Khaled, Kalna, Karol, Boucherta, Mohammed, Mattalah, Maghnia, Chahdi, Hassane Ouazzani, Bourzgui, Nour Eddine, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Morres University - LJMU (UK), Cardiff Metropolitan University, Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Université Saad Dahleb (ALGERIE), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)
المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-03142223Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩.
مصطلحات موضوعية: HEMTs, MODFETs, Logic gates, Aluminum gallium nitride, Wide band gap semiconductors, Degradation, Transient analysis, [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-03142223; https://hal.science/hal-03142223Test
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6دورية أكاديمية
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Ahmeda, Khaled, Kalna, Karol, Boucherta, Mohammed, Mattalah, Maghnia, Chahdi, Hassane Ouazzani, Bourzgui, Nour Eddine, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Morres University - LJMU (UK), Cardiff Metropolitan University, Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Université Saad Dahleb (ALGERIE), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)
المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-03142223Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩.
مصطلحات موضوعية: HEMTs, MODFETs, Logic gates, Aluminum gallium nitride, Wide band gap semiconductors, Degradation, Transient analysis, [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-03142223; https://hal.science/hal-03142223Test
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7دورية أكاديمية
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Ahmeda, Khaled, Kalna, Karol, Boucherta, Mohammed, Mattalah, Maghnia, Chahdi, Hassane Ouazzani, Bourzgui, Nour Eddine, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Morres University - LJMU (UK), Cardiff Metropolitan University, Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Université Saad Dahleb (ALGERIE), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)
المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-03142223Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩.
مصطلحات موضوعية: HEMTs, MODFETs, Logic gates, Aluminum gallium nitride, Wide band gap semiconductors, Degradation, Transient analysis, [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-03142223; https://hal.science/hal-03142223Test
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8دورية أكاديمية
المؤلفون: Benbakhti, Brahim, Chan, Kah Hou, Soltani, Ali, Kalna, Karol
العلاقة: Benbakhti, B. , Chan, K. H., Soltani, A. and Kalna, K. (2016) Device and circuit performance of the future hybrid III–V and Ge-based CMOS technology. IEEE Transactions on Electron Devices , 63(10), pp. 3893-3899. (doi:10.1109/TED.2016.2603188 )
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9دورية أكاديمية
المؤلفون: Benbakhti, Brahim, Martinez, Antonio, Kalna, Karol, Hellings, Geert, Eneman, Geert, De Meyer, Kristin, Meuris, Marc
العلاقة: IEEE Transactions on Nanotechnology vol:11 issue:4 pages:808-817; https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/421914Test; P22949
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10دورية أكاديمية
المساهمون: University of Glasgow, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-00473432Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56 (10), pp.2178-2185. ⟨10.1109/TED.2009.2028400⟩.
مصطلحات موضوعية: Gallium nitride, Substrates, Mathematical model, Aluminum gallium nitride, Temperature measurement, Lattices, Equations, [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-00473432; https://hal.science/hal-00473432Test
