المؤلفون: Urano, S., Low, R. S., Faris, M., Ishiguro, M., Nagase, I., Baratov, A., Asubar, J. T., Motoyama, T., Nakamura, Y., Yatabe, Z., Kuzuhara, M.

المصدر: 2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK)

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/imfedk53601.2021.9637639Test
http://xplorestagingTest.ieee.org/ielx7/9637505/9637517/09637639.pdf?arnumber=9637639

المؤلفون: Ishiguro, M., Urano, S., Low, R. S., Faris, M., Nagase, I., Baratov, A., Asubar, J. T., Motoyama, T., Nakamura, Y., Yatabe, Z., Kuzuhara, M.

المصدر: 2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK)

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/imfedk53601.2021.9637518Test
http://xplorestagingTest.ieee.org/ielx7/9637505/9637517/09637518.pdf?arnumber=9637518

المؤلفون: Naik, V. B., Yamane, K., Lee, T.Y., Kwon, J., Chao, R., Lim, J.H., Chung, N.L., Behin-Aein, B., Hau, L.Y., Zeng, D., Otani, Y., Chiang, C., Huang, Y., Pu, L., Jang, S.H., Neo, W.P., Dixit, H., Goh, S. K L. C., Toh, E. H., Ling, T., Hwang, J., Ting, J.W., Low, R., Zhang, L., Lee, C.G., Balasankaran, N., Tan, F., Gan, K. W., Yoon, H., Congedo, G., Mueller, J., Pfefferling, B., Kallensee, O., Vogel, A., Kriegerstein, V., Merbeth, T., Seet, C.S., Ong, S., Xu, J., Wong, J., You, Y.S., Woo, S.T., Chan, T.H., Quek, E., Siah, S. Y.

المصدر: 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371935Test
http://xplorestagingTest.ieee.org/ielx7/9371868/9371888/09371935.pdf?arnumber=9371935

المؤلفون: Lee, T. Y., Yamane, K., Hau, L. Y., Chao, R., Chung, N. L., Naik, V. B., Sivabalan, K., Kwon, J., Lim, J. H., Neo, W. P., Khua, K., Thiyagarajah, N., Jang, S. H., Behin-Aein, B., Toh, E. H., Otani, Y., Zeng, D., Balasankaran, N., Goh, L. C., Ling, T., Hwang, J., Zhang, L., Low, R., Tan, S. L, Seet, C. S., Ting, J. W., Ong, S., You, Y. S., Woo, S. T., Quek, E., Siah, S. Y.

المصدر: 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/irps45951.2020.9128317Test
http://xplorestagingTest.ieee.org/ielx7/9125439/9128217/09128317.pdf?arnumber=9128317

المؤلفون: Lee, T. Y., Yamane, K., Otani, Y., Zeng, D., Kwon, J., Lim, J. H., Naik, V. B., Hau, L. Y., Chao, R., Chung, N. L., Ling, T., Jang, S. H., Goh, L. C., Hwang, J., Zhang, L., Low, R., Balasankaran, N., Tan, F., Ting, J. W., Chang, J., Seet, C. S., Ong, S., You, Y. S., Woo, S. T., Chan, T. H., Siah, S. Y.

المصدر: 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9372015Test
http://xplorestagingTest.ieee.org/ielx7/9371868/9371888/09372015.pdf?arnumber=9372015

المؤلفون: Naik, V. B., Yamane, K., Lim, J. H., Lee, T. Y., Kwon, J., Aein, Behin, Chung, N. L., Hau, L. Y., Chao, R., Zeng, D., Otani, Y., Chiang, C, Huang, Y., Pu, L., Thiyagarajah, N., Jang, S. H., Neo, W. P., Dixit, H., Aris, S.K, Goh, L. C., Ling, T., Hwang, J., Ting, J. W., Zhang, L., Low, R., Balasankaran, N., Seet, C. S., Ong, S., Wong, J., You, Y. S., Woo, S. T., Siah, S. Y.

المصدر: 2020 IEEE Symposium on VLSI Technology

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265086Test
http://xplorestagingTest.ieee.org/ielx7/9264988/9264985/09265086.pdf?arnumber=9265086

المؤلفون: Lee, T. Y., Yamane, K., Kwon, J., Naik, V. B., Otani, Y., Zeng, D., Lim, J. H., Sivabalan, K., Chiang, C., Huang, Y., Jang, S. H., Hau, L. Y., Chao, R., Chung, N. L., Neo, W. P., Khua, K., Thiyagarajah, N., Ling, T., Goh, L. C., Hwang, J., Zhang, L., Low, R., Balasankaran, N., Tan, F., Wong, J., Seet, C. S., Ting, J. W., Ong, S., You, Y. S., Woo, S. T., Siah, S. Y.

المصدر: 2020 IEEE Symposium on VLSI Technology

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265027Test
http://xplorestagingTest.ieee.org/ielx7/9264988/9264985/09265027.pdf?arnumber=9265027

المؤلفون: Naik, V. B., Lim, J. H., Lee, T. Y., Neo, W. P., Dixit, H., K, S., Goh, L. C., Ling, T., Hwang, J., Zeng, D., Ting, J. W., Lee, K., Toh, E. H., Zhang, L., Low, R., Balasankaran, N., Zhang, L. Y., Gan, K. W., Hau, L. Y., Mueller, J., Pfefferling, B., Kallensee, O., Yamane, K., Tan, S. L., Seet, C. S., You, Y. S., Woo, S. T., Quek, E., Siah, S. Y., Pellerin, J., Chao, R., Kwon, J., Thiyagarajah, N., Chung, N. L., Jang, S. H., Behin-Aein, B.

المصدر: 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993454Test
http://xplorestagingTest.ieee.org/ielx7/8971803/8993428/08993454.pdf?arnumber=8993454

المؤلفون: Low, R. S., Kawabata, S., Asubar, J. T., Tokuda, H., Kuzuhara, M.

المصدر: 2019 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/imfedk48381.2019.8950755Test
http://xplorestagingTest.ieee.org/ielx7/8945253/8950680/08950755.pdf?arnumber=8950755

المؤلفون: Lee, K., Yamane, K., Noh, S., Naik, V. B., Yang, H., Jang, S. H., Kwon, J., Behin-Aein, B., Chao, R., Lim, J. H., S. K., Gan, K. W., Zeng, D., Thiyagarajah, N., Goh, L. C., Liu, B., Toh, E. H., Jung, B., Wee, T. L., Ling, T., Chan, T. H., Chung, N. L., Ting, J. W., Lakshmipathi, S., Son, J. S., Hwang, J., Zhang, L., Low, R., Krishnan, R., Kitamura, T., You, Y. S., Seet, C. S., Cong, H., Shum, D., Wong, J., Woo, S. T., Lam, J., Quek, E., See, A., Siah, S. Y.

المصدر: 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/vlsit.2018.8510655Test
http://xplorestagingTest.ieee.org/ielx7/8481640/8510617/08510655.pdf?arnumber=8510655