يعرض 1 - 10 نتائج من 11 نتيجة بحث عن '"Strupinski, Wlodek"', وقت الاستعلام: 1.12s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Statistics of epitaxial graphene for Hall effect sensors.

    المؤلفون: Ciuk, Tymoteusz1,2, Strupinski, Wlodek1 wlodek.strupinski@itme.edu.pl

    المصدر: Carbon. Nov2015, Vol. 93, p1042-1049. 8p.

    مصطلحات موضوعية: *EPITAXY, *GRAPHENE, *HALL effect transducers, *CHEMICAL vapor deposition, *SILICON carbide, *INTERCALATION reactions


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Effect of growth pressure on coalescence thickness and crystal quality of GaN deposited on 4H–SiC

    المؤلفون: Caban, Piotr1,2 piotr.caban@itme.edu.pl, Strupinski, Wlodek1, Szmidt, Jan2, Wojcik, Marek1, Gaca, Jaroslaw1, Kelekci, Ozgur3, Caliskan, Deniz3, Ozbay, Ekmel3

    المصدر: Journal of Crystal Growth. Jan2011, Vol. 315 Issue 1, p168-173. 6p.

    مصطلحات موضوعية: *CRYSTAL growth, *THICKNESS measurement, *GALLIUM nitride, *METAL organic chemical vapor deposition, *SURFACE roughness, *POINT defects, *NUCLEATION, *X-ray diffraction, *LOW pressure (Science)


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Charge carrier concentration and offset voltage in quasi-free-standing monolayer chemical vapor deposition graphene on SiC.

    المؤلفون: Ciuk, Tymoteusz1,2, Caban, Piotr1, Strupinski, Wlodek1 wlodek.strupinski@itme.edu.pl

    المصدر: Carbon. May2016, Vol. 101, p431-438. 8p.

    مصطلحات موضوعية: *CHARGE carriers, *ELECTRIC potential, *CHEMICAL vapor deposition, *GRAPHENE, *SILICON carbide


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    The influence of substrate surface preparation on LP MOVPE GaN epitaxy on differently oriented 4H-SiC substrates

    المؤلفون: Caban, Piotr1,2 piotr.caban@itme.edu.pl, Kosciewicz, Kinga1,3, Strupinski, Wlodek1, Wojcik, Marek1, Gaca, Jaroslaw1, Szmidt, Jan2, Ozturk, Mustafa4, Ozbay, Ekmel4

    المصدر: Journal of Crystal Growth. Nov2008, Vol. 310 Issue 23, p4876-4879. 4p.

    مصطلحات موضوعية: *GALLIUM nitride, *SURFACE analysis, *METAL organic chemical vapor deposition, *EPITAXY, *CRYSTAL growth, *ATOMIC force microscopy, *SURFACE roughness


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Non-contact mobility measurements of graphene on silicon carbide.

    المؤلفون: Whelan, Patrick R.1 (AUTHOR) patwhe@nanotech.dtu.dk, Zhao, Xiaojing1 (AUTHOR), Pasternak, Iwona1 (AUTHOR), Strupinski, Wlodek1 (AUTHOR), Jepsen, Peter U.1 (AUTHOR), Bøggild, Peter1 (AUTHOR) peter.boggild@nanotech.dtu.dk

    المصدر: Microelectronic Engineering. May2019, Vol. 212, p9-12. 4p.

    مصطلحات موضوعية: *TERAHERTZ time-domain spectroscopy, *SILICON carbide, *CARRIER density, *CHARGE carrier mobility, *THIN films, *SPEED measurements


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Hydrogen intercalation of CVD graphene on germanium (001) – Strain and doping analysis using Raman spectroscopy.

    المؤلفون: Judek, Jarosław1 jaroslaw.judek@pw.edu.pl, Pasternak, Iwona1, Dabrowski, Pawel1, Strupinski, Wlodek1, Zdrojek, Mariusz1

    المصدر: Applied Surface Science. Apr2019, Vol. 473, p203-208. 6p.

    مصطلحات موضوعية: *HYDROGEN, *INTERCALATION reactions, *CHEMICAL vapor deposition, *GRAPHENE, *GERMANIUM, *DOPING agents (Chemistry), *RAMAN spectroscopy


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Influence of hydrogen intercalation on graphene/Ge(0 0 1)/Si(0 0 1) interface.

    المؤلفون: Grzonka, Justyna1 justyna_grzonka@o2.pl, Pasternak, Iwona1,2, Michałowski, Paweł P.1, Kolkovsky, Valery3,4, Strupinski, Wlodek1,2

    المصدر: Applied Surface Science. Jul2018, Vol. 447, p582-586. 5p.

    مصطلحات موضوعية: *HYDROGEN, *INTERCALATION reactions, *MICROSTRUCTURE, *SCANNING electron microscopy, *GERMANIUM, *SURFACE morphology


    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Influence of Au doping on electrical properties of CVD graphene.

    المؤلفون: Krajewska, Aleksandra1,2, Oberda, Krzysztof1, Azpeitia, Jon3, Gutierrez, Alejandro4, Pasternak, Iwona1, López, Maria F.3, Mierczyk, Zygmunt2, Munuera, Carmen3, Strupinski, Wlodek1 wlodek.strupinski@itme.edu.pl

    المصدر: Carbon. Apr2016, Vol. 100, p625-631. 7p.

    مصطلحات موضوعية: *GOLD nanoparticles, *DOPING agents (Chemistry), *CHEMICAL vapor deposition, *ELECTRIC properties of graphene, *COPPER foil, *CHARGE transfer, *X-ray photoelectron spectroscopy


    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Growth of aluminium nitride with linear change of ammonia flow.

    المؤلفون: Caban, Piotr1 piotr.caban@itme.edu.pl, Rudzinski, Mariusz1, Wojcik, Marek1, Gaca, Jaroslaw1, Strupinski, Wlodek1

    المصدر: Journal of Crystal Growth. Mar2015, Vol. 414, p81-86. 6p.

    مصطلحات موضوعية: *CRYSTAL growth, *ALUMINUM nitride, *AMMONIA, *FLUID flow, *X-ray diffraction


    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    The influence of pressure on growth of 3C-SiC heteroepitaxial layers on silicon substrates.

    المؤلفون: Teklinska, Dominika1,2 dominika.teklinska@itme.edu.pl, Grodecki, Kacper1, Jozwik-Biała, Iwona1, Caban, Piotr1, Olszyna, Andrzej2, Strupinski, Wlodek1

    المصدر: Journal of Crystal Growth. Sep2014, Vol. 401, p542-546. 5p.

    مصطلحات موضوعية: *EPITAXIAL layers, *PRESSURE, *CRYSTAL growth, *SILICON carbide, *CARBONIZATION, *CHEMICAL vapor deposition, *CHEMICAL reactors


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث