يعرض 1 - 6 نتائج من 6 نتيجة بحث عن '"Kalna, Karol"', وقت الاستعلام: 0.65s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Scaling/LER study of Si GAA nanowire FET using 3D finite element Monte Carlo simulations.

    المؤلفون: Nagy, Daniel1, Kalna, Karol1, Elmessary, Muhammad A.1,2, Aldegunde, Manuel3, Seoane, Natalia4, Indalecio, Guillermo4, García-Loureiro, Antonio J.4, Lindberg, Jari5, Dettmer, Wulf6, Perić, Djordje6

    المصدر: Solid-State Electronics. Feb2017, Vol. 128, p17-24. 8p.

    مصطلحات موضوعية: *SILICON nanowires, *FINITE element method, *MONTE Carlo method


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Design and analysis of the As implant-free quantum-well device structure

    المؤلفون: Benbakhti, Brahim1 brahim@elec.gla.ac.uk, Kalna, Karol2, Chan, KahHou1, Towie, Ewan1, Hellings, Geert3, Eneman, Geert3, De Meyer, Kristin3, Meuris, Marc3, Asenov, Asen1

    المصدر: Microelectronic Engineering. Apr2011, Vol. 88 Issue 4, p358-361. 4p.

    مصطلحات موضوعية: *QUANTUM wells, *ELECTRIC leakage, *TRANSISTORS, *MONTE Carlo method, *COMPUTER-aided design, *THICKNESS measurement, *ELECTRIC currents, *METAL oxide semiconductor field-effect transistors


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Scaling and optimisation of lateral super-junction multi-gate MOSFET for high drive current and low specific on-resistance in sub–50 V applications.

    المؤلفون: Adenekan, Olujide A.1 (AUTHOR) 843372@swansea.ac.uk, Holland, Paul1 (AUTHOR), Kalna, Karol1 (AUTHOR)

    المصدر: Microelectronics Reliability. Aug2019, Vol. 99, p213-221. 9p.

    مصطلحات موضوعية: *BREAKDOWN voltage, *METAL oxide semiconductor field-effect transistors, *METAL semiconductor field-effect transistors, *LOW voltage systems, *ARCHITECTURE


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Optimisation of lateral super-junction multi-gate MOSFET for high drive current and low specific on-resistance in sub-100 V applications.

    المؤلفون: Adenekan, Olujide1 843372@swansea.ac.uk, Holland, Paul1, Kalna, Karol1

    المصدر: Microelectronics Journal. Nov2018, Vol. 81, p94-100. 7p.

    مصطلحات موضوعية: *METAL oxide semiconductor field-effect transistors, *ELECTRIC potential, *SIMULATION methods & models, *CALIBRATION, *DOPING agents (Chemistry)


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Operational frequency degradation induced trapping in scaled GaN HEMTs.

    المؤلفون: Ubochi, Brendan1 B.Ubochi.840649@swansea.ac.uk, Faramehr, Soroush1, Ahmeda, Khaled1, Igić, Petar1, Kalna, Karol1

    المصدر: Microelectronics Reliability. Apr2017, Vol. 71, p35-40. 6p.

    مصطلحات موضوعية: *GALLIUM nitride, *CALIBRATION, *MODULATION-doped field-effect transistors, *SEPARATION (Technology), *RADIO frequency


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Numerical analysis of the new Implant-Free Quantum-Well CMOS: DualLogic approach

    المؤلفون: Benbakhti, Brahim1 brahim.benbakhti@gmail.com, Chan, KahHou1, Towie, Ewan1, Kalna, Karol2, Riddet, Craig1, Wang, Xingsheng1, Eneman, Geert3,4,5, Hellings, Geert3,4, De Meyer, Kristin3,4, Meuris, Marc3, Asenov, Asen1

    المصدر: Solid-State Electronics. Sep2011, Vol. 63 Issue 1, p14-18. 5p.

    مصطلحات موضوعية: *NUMERICAL analysis, *QUANTUM wells, *COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors, *INTERFACES (Physical sciences), *METAL oxide semiconductor field-effect transistors, *PERFORMANCE evaluation


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث