التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
Optoelectrical Properties and Back Contact Characteristic of VSe2 Thin Films |
| المؤلفون: |
Yang Jia-Yi, Feng Liang-Huan, Zhang Jingquan, Wu Li-Li, Li Wei, Wang Wenwu, Zeng Guanggen, Gao Jing-Jing, Li Bing |
| المصدر: |
Journal of Inorganic Materials. 28:312-316 |
| بيانات النشر: |
China Science Publishing & Media Ltd., 2013. |
| سنة النشر: |
2013 |
| مصطلحات موضوعية: |
Inorganic Chemistry, Materials science, General Materials Science, Engineering physics |
| الوصف: |
采用电子束蒸发法制备VSe 2 薄膜并进行退火处理, 通过XRD、SEM、透过谱、Hall效应、电导率–温度关系等表征了薄膜的结构、形貌、光学和电学性质, 用半导体特性测试仪研究了VSe 2 薄膜的背接触特性。结果表明: VSe 2 薄膜在一定的退火温度下结晶并呈稳定的六方相, VSe 2 薄膜为p型直接禁带跃迁材料, 光能隙约2.35 eV。将VSe 2 作为背接触层应用于CdTe多晶薄膜太阳电池, 消除了roll-over现象, 有效提高了器件性能。 |
| تدمد: |
1000-324X |
| الوصول الحر: |
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0c13b455ef0475549ed9d54d1a93ffb8Test
https://doi.org/10.3724/sp.j.1077.2013.12256Test |
| رقم الانضمام: |
edsair.doi...........0c13b455ef0475549ed9d54d1a93ffb8 |
| قاعدة البيانات: |
OpenAIRE |
