يعرض 1 - 10 نتائج من 56 نتيجة بحث عن '"Singh, S D"', وقت الاستعلام: 1.40s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Evaluation of valence band offset and its non-commutativity at all oxide α-Cr2O3/β-Ga2O3 heterojunction from photoelectron spectroscopy.

    المؤلفون: Ghosh, Sahadeb, Baral, Madhusmita, Bhattacharjee, Jayanta, Kamparath, Rajiv, Singh, S. D., Ganguli, Tapas

    المصدر: Journal of Applied Physics; 11/7/2021, Vol. 130 Issue 17, p1-8, 8p

    مصطلحات موضوعية: VALENCE bands, PHOTOELECTRON spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, HETEROJUNCTIONS, CONDUCTION bands


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Assessment of bonding characteristic of β-(AlxGa1−x)2O3 alloys from photoluminescence and x-ray absorption near edge spectroscopy.

    المؤلفون: Bhattacharjee, Jayanta, Gupta, R. K., Singh, S. D.

    المصدر: Applied Physics Letters; 4/10/2023, Vol. 122 Issue 15, p1-6, 6p

    مصطلحات موضوعية: X-ray absorption, GALLIUM alloys, PHOTOLUMINESCENCE, ALLOYS, SPECTROMETRY, LUMINESCENCE


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Observation of mixed-mode behavior of Raman active phonon modes for β-(AlxGa1−x)2O3 alloys.

    المؤلفون: Bhattacharjee, Jayanta1,2 (AUTHOR), Singh, S. D.1,2 (AUTHOR) devsh@rrcat.gov.in

    المصدر: Applied Physics Letters. 3/13/2023, Vol. 122 Issue 11, p1-7. 7p.

    مصطلحات موضوعية: *PHONONS, *GALLIUM alloys, *ALLOYS, *RAMAN spectroscopy, *TETRAHEDRA, *OCTAHEDRA


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Erratum: "Determination of Al occupancy and local structure for β-(AlxGa1−x)2O3 alloys across nearly full composition range from Rietveld analysis" [Appl. Phys. Lett. 120, 262101 (2022)].

    المؤلفون: Bhattacharjee, Jayanta, Sagdeo, Archna, Singh, S. D.

    المصدر: Applied Physics Letters; 11/28/2022, Vol. 121 Issue 22, p1-4, 4p

    مصطلحات موضوعية: GALLIUM alloys, RIETVELD refinement, ALLOYS, BAND gaps


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Structural, electronic structure, and band alignment properties at epitaxial NiO/Al2O3 heterojunction evaluated from synchrotron based X-ray techniques.

    المؤلفون: Singh, S. D.1 devsh@rrcat.gov.in, Nand, Mangla2, Das, Arijeet1, Ajimsha, R. S.1, Upadhyay, Anuj1, Kamparath, Rajiv1, Shukla, D. K.3, Mukherjee, C.1, Misra, P.1, Rai, S. K.1, Sinha, A. K.1, Jha, S. N.2, Phase, D. M.3, Ganguli, Tapas1

    المصدر: Journal of Applied Physics. 4/28/2016, Vol. 119 Issue 16, p1-6. 6p. 1 Chart, 7 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *HETEROJUNCTIONS, *NICKEL oxides, *ELECTRONIC structure, *EPITAXY, *SYNCHROTRON radiation, *X-ray absorption


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Bandgap bowing parameter and alloy fluctuations for β-(AlxGa1−x)2O3 alloys for x ≤ 0.35 determined from low temperature optical reflectivity.

    المؤلفون: Bhattacharjee, Jayanta, Ghosh, Sahadeb, Pokhriyal, Preeti, Gangwar, Rashmi, Dutt, Rajeev, Sagdeo, Archna, Tiwari, Pragya, Singh, S. D.

    المصدر: AIP Advances; Jul2021, Vol. 11 Issue 7, p1-6, 6p

    مصطلحات موضوعية: LOW temperatures, ALLOYS, ELECTRON-phonon interactions, GALLIUM alloys, LATTICE constants, UNIT cell

    النص الكامل

    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Observation of room temperature optical absorption in InP/GaAs type-II ultrathin quantum wells and quantum dots.

    المؤلفون: Singh, S. D.1 devsh@rrcat.gov.in, Porwal, S.1, Mondal, Puspen1, Srivastava, A. K.1, Mukherjee, C.1, Dixit, V. K.1, Sharma, T. K.1, Oak, S. M.1

    المصدر: Journal of Applied Physics. 2014, Vol. 115 Issue 22, p223505-1-223505-6. 6p. 2 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *LIGHT absorption, *QUANTUM wells, *QUANTUM dots, *SURFACE photovoltage, *PHOTOLUMINESCENCE, *TRANSMISSION electron microscopy


    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Investigations on band commutativity at all oxide p-type NiO/n-type β-Ga2O3 heterojunction using photoelectron spectroscopy.

    المؤلفون: Ghosh, Sahadeb, Baral, Madhusmita, Kamparath, Rajiv, Singh, S. D., Ganguli, Tapas

    المصدر: Applied Physics Letters; 12/16/2019, Vol. 115 Issue 25, p1-5, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs

    مصطلحات موضوعية: PHOTOELECTRON spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, N-type semiconductors, P-N heterojunctions, HETEROJUNCTIONS, VALENCE bands


    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Epitaxial growth and interface band alignment studies of all oxide α-Cr2O3/β-Ga2O3 p-n heterojunction.

    المؤلفون: Ghosh, Sahadeb, Baral, Madhusmita, Kamparath, Rajiv, Choudhary, R. J., Phase, D. M., Singh, S. D., Ganguli, Tapas

    المصدر: Applied Physics Letters; 8/5/2019, Vol. 115 Issue 6, pN.PAG-N.PAG, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs

    مصطلحات موضوعية: P-N heterojunctions, EPITAXY, RADIOFREQUENCY sputtering, VALENCE bands, CONDUCTION bands, OPTOELECTRONIC devices, CHROMIUM


    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Effect of built-in electric field on the temperature dependence of transition energy for InP/GaAs type-II superlattices.

    المؤلفون: Singh, S. D.1, Porwal, S.1, Srivastava, A. K.2, Sharma, T. K.1, Oak, S. M.1

    المصدر: Journal of Applied Physics. Dec2011, Vol. 110 Issue 12, p123523. 7p. 1 Diagram, 4 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *ELECTRIC fields, *SUPERLATTICES, *GALLIUM arsenide, *INDIUM phosphide, *BAND gaps, *PHONONS, *ELECTRON scattering


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث