يعرض 1 - 10 نتائج من 13 نتيجة بحث عن '"Schmit, J.-L."', وقت الاستعلام: 1.04s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Intrinsic Carrier Concentration of Hg1-xCdxTe as a Function of x and T Using k·p Calculations.

    المؤلفون: Schmit, J. L.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Jun1970, Vol. 41 Issue 7, p2876-2879, 4p


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Temperature and Alloy Compositional Dependences of the Energy Gap of Hg1-xCdxTe.

    المؤلفون: Schmit, J. L., Stelzer, E. L.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Nov1969, Vol. 40 Issue 12, p4865-4869, 5p


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Energy gap versus alloy composition and temperature in Hg1-xCdxTe.

    المؤلفون: Hansen, G. L., Schmit, J. L., Casselman, T. N.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Oct1982, Vol. 53 Issue 10, p7099-7101, 3p


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Standard relationships in the properties of Hg1-xCdxTe.

    المؤلفون: Higgins, W. M., Pultz, G. N., Roy, R. G., Lancaster, R. A., Schmit, J. L.

    المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1989, Vol. 7 Issue 2, p271-275, 5p


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Metal-organic chemical vapor deposition hybrid substrates for HgCdTe.

    المؤلفون: Schmit, J. L.

    المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1986, Vol. 4 Issue 4, p2141-2149, 9p


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    MOCVD growth of CdTe and HgCdTe.

    المؤلفون: Schmit, J. L.

    المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1985, Vol. 3 Issue 1, p89-92, 4p


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Calculation of intrinsic carrier concentration in Hg1-xCdxTe.

    المؤلفون: Hansen, G. L., Schmit, J. L.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Mar1983, Vol. 54 Issue 3, p1639-1640, 2p


    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Multiwafer growth of CdTe on GaAs by metalorganic chemical vapor deposition in a vertical, high-speed, rotating disk reactor.

    المؤلفون: Tompa, G. S., Nelson, C. R., Saracino, M. A., Colter, P. C., Anderson, P. L., Wright, W. H., Schmit, J. L.

    المصدر: Applied Physics Letters; 7/3/1989, Vol. 55 Issue 1, p62, 3p

    مصطلحات موضوعية: CADMIUM, TELLURIDES, GALLIUM arsenide, CHEMICAL vapor deposition


    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Anomalous temperature dependence of lattice parameters of metalorganic chemical vapor deposition CdTe grown on GaAs.

    المؤلفون: Staudenmann, J.-L., Horning, R. D., Knox, R. D., Arch, D. K., Schmit, J. L.

    المصدر: Applied Physics Letters; 4/14/1986, Vol. 48 Issue 15, p994, 3p

    مصطلحات موضوعية: CRYSTAL lattices, CHEMICAL vapor deposition, EPITAXY, GALLIUM arsenide


    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Summary Abstract: Liquid-phase epitaxial growth of (HgCd)Te on Cd(TeSe) substrates.

    المؤلفون: Wood, R. A., Schmit, J. L., Chung, H. K., Magee, T. J., Woolhouse, G. R.

    المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1985, Vol. 3 Issue 1, p93-94, 2p


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث