A comparison of planarization properties of TEOS and SiH/sub 4/ PECVD oxides

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: A comparison of planarization properties of TEOS and SiH/sub 4/ PECVD oxides
المؤلفون: Magnella, C.G., Ingwersen, T., Fleck, E.
المصدر: 1988. Proceedings., Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference
بيانات النشر: IEEE
سنة النشر: 2003
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/vmic.1988.14214
الإتاحة: https://doi.org/10.1109/vmic.1988.14214Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx2/759/557/00014214.pdf?arnumber=14214Test
رقم الانضمام: edsbas.49BC42AF
قاعدة البيانات: BASE