التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
Ladungstransport in festphasenkristallisiertem polykristallinem Silizium ; Charge carrier transport in solid-phase crystallized polycrystalline silicon |
| المؤلفون: |
Scheller, Lars-Peter |
| المساهمون: |
Nickel, Norbert H., Technische Universität Berlin, Fakultät II - Mathematik und Naturwissenschaften |
| سنة النشر: |
2011 |
| مصطلحات موضوعية: |
530 Physik, Defekte, Gitterverspannung, Ladungstransport, Polykristallines Silizium, Wasserstoffpassivierung, Charge carrier transport, Defects, Hydrogen passivation, Lattice strain, Polycrystalline silicon, hist, archeo |
| الوصف: |
Die elektronische Qualität von polykristallinem Silizium (poly-Si) wird entscheidend von Korngrenzen und im Material vorhandenen intrinsischen und extrinsischen Defekten bestimmt. Ein physikalisches Verständnis dieser Defekte und ihrer Auswirkung auf den Ladungstransport ist somit essentiell für die Steigerung der Leistungsfähigkeit nahezu aller auf poly-Si basierender elektronischer Bauelemente. Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde der Einfluss verschiedener Präparationsparameter sowie einer Wasserstoffnachbehandlung auf Defekte und den Ladungstransport in festphasenkristallisiertem poly-Si untersucht. Im Folgenden sind die wichtigsten Ergebnisse und Schlussfolgerungen zusammengefasst. Die Festphasenkristallisation von amorphem Silizium (a-Si) auf Glas führt zu einer tensilen Verspannung von bis zu 0.8 GPa in den resultierenden poly-Si Schichten, als deren Ursprung die Grenzfläche zum Substrat nachgewiesen werden konnte. Neben der unterschiedlichen thermischen Ausdehnung von Schicht und Substrat wurde eine mit dem Phasenübergang von a-Si zu poly-Si verbundene Dichteabnahme als mögliche Ursache für die Verspannung identifiziert. Der Ladungstransport in festphasenkristallisiertem poly-Si hängt entscheidend vom verwendeten Substrat ab. Poly-Si Schichten auf Corning Glas zeigen bei hohen Temperaturen ein für den Ladungstransport über Potentialbarrieren typisches Transportverhalten. Die energetische Lage und die Konzentration der hierfür verantwortlichen donatorartigen Korngrenzendefekte konnte zu E_{v}-E_{t} = 0.4 eV und N_{t} = 4x10^{11} cm^{-2} bestimmt werden. Poly-Si Schichten auf SiN-beschichtetem Borofloat Glas zeigen dagegen eine starke Ladungsträgerverarmung mit einer Dotiereffizienz von nur etwa 10^{-4} und einen für einkristallines Material typischen Ladungstransport. Als mögliche Ursachen für dieses gegensätzliche Verhalten werden eine Bandverbiegung an der Grenzfläche zum Substrat, eine Wasserstoffdiffusion aus der SiN-Pufferschicht sowie intrinsische und extrinsische Defekte innerhalb der . ; The ... |
| نوع الوثيقة: |
thesis |
| اللغة: |
German |
| العلاقة: |
http://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/3047Test |
| الإتاحة: |
http://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/3047Test |
| حقوق: |
undefined |
| رقم الانضمام: |
edsbas.A445A253 |
| قاعدة البيانات: |
BASE |
