Defect free strain relaxation of microcrystals on mesoporous patterned silicon

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	Defect free strain relaxation of microcrystals on mesoporous patterned silicon
المؤلفون:	Alexandre Heintz, Bouraoui Ilahi, Alexandre Pofelski, Gianluigi Botton, Gilles Patriarche, Andrea Barzaghi, Simon Fafard, Richard Arès, Giovanni Isella, Abderraouf Boucherif
المصدر:	Nature Communications, Vol 13, Iss 1, Pp 1-9 (2022)
بيانات النشر:	Nature Portfolio, 2022.
سنة النشر:	2022
المجموعة:	LCC:Science
مصطلحات موضوعية:	Science
الوصف:	Many complex devices rely on epitaxial growth with high crystallinity and accurate composition. Here authors report epitaxial growth of Ge on deep etched porous Si pillars to provide a fully compliant substrate enabling elastic relaxation of defect free Ge microcrystals.
نوع الوثيقة:	article
وصف الملف:	electronic resource
اللغة:	English
تدمد:	2041-1723
العلاقة:	https://doaj.org/toc/2041-1723Test
DOI:	10.1038/s41467-022-34288-4
الوصول الحر:	https://doaj.org/article/b0302eb751114196bc93e20db9171c4cTest
رقم الانضمام:	edsdoj.b0302eb751114196bc93e20db9171c4c
قاعدة البيانات:	Directory of Open Access Journals

الوصف
تدمد:	20411723
DOI:	10.1038/s41467-022-34288-4