يعرض 1 - 7 نتائج من 7 نتيجة بحث عن '"Boivin, P."', وقت الاستعلام: 1.27s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية
    Comparison of oxide leakage currents induced by ion implantation and high field electric stress

    المؤلفون: Goguenheim, D, Bravaix, A, Moragues, J.M, Lambert, P, Boivin, P

    المصدر: Microelectronics Reliability; April 2000, Vol. 40 Issue: 4-5 p751-754, 4p


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية
    Reliability improvement of EEPROM by using WSi2 polycide gate

    المؤلفون: Ogier-Monnier, K., Boivin, P., Bonnaud, O.

    المصدر: Microelectronics Reliability; 1999, Vol. 39 Issue: 6 p897-901, 5p


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية
    Extraction and evolution of Fowler-Nordheim tunneling parameters of thin gate oxides under EEPROM-like dynamic degradation

    المؤلفون: Croci, S., Voisin, J.M., Plossu, C., Raynaud, C., Autran, J.L., Boivin, P., Mirabel, J.M.

    المصدر: Microelectronics Reliability; 1999, Vol. 39 Issue: 6 p879-884, 6p


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية
    Reliability of nitrided wet silicon dioxide thin films in WSi2 or TaSi2 polycide process: influence of the nitridation temperature

    المؤلفون: Yckache, K., Boivin, P., Baiget, F., Radjaa, S., Auriel, G., Sagnes, B., Oualid, J., Glachant, A.

    المصدر: Microelectronics Reliability; 1998, Vol. 38 Issue: 6 p937-942, 6p


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Dynamic Fowler–Nordheim injection in EEPROM tunnel oxides at realistic time scales

    المؤلفون: Baboux, N.1 nicolas.baboux@insa-lyon.fr, Plossu, C.1, Boivin, P.2

    المصدر: Microelectronics Reliability. May2005, Vol. 45 Issue 5/6, p911-914. 4p.

    مصطلحات موضوعية: *OXIDES, *ELECTRIC charge, *ELECTRICITY, *ELECTRIC currents


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Peculiarities of electron tunnel injection to the drain of EEPROMs

    المؤلفون: Baboux, N.1 nicolas.baboux@insa-lyon.fr, Busseret, C.1, Plossu, C.1, Boivin, P.2

    المصدر: Microelectronics Reliability. Apr2007, Vol. 47 Issue 4/5, p631-634. 4p.

    مصطلحات موضوعية: *ELECTRONS, *INJECTIONS, *IONIZATION (Atomic physics), *ENERGY bands


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Impact of wafer charging on hot carrier reliability and optimization of latent damage detection methodology in advanced CMOS technologies

    المؤلفون: Goguenheim, D.1 didier.goguenheim@isen.fr, Bravaix, A.1, Gomri, S.1, Moragues, J.M.2 jean-michel.moragues@st.com, Monserie, C.2, Legrand, N.2, Boivin, P.2

    المصدر: Microelectronics Reliability. Mar2005, Vol. 45 Issue 3/4, p487-492. 6p.

    مصطلحات موضوعية: *SEMICONDUCTOR wafers, *MICROELECTRONICS, *ELECTRIC fields, *ELECTROMAGNETIC fields


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث