يعرض 1 - 5 نتائج من 5 نتيجة بحث عن '"Jang Y"', وقت الاستعلام: 0.67s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    An efficient in-plane energy level shift in InAs/InGaAsP/InP quantum dots by selective area growth.

    المؤلفون: Nguyen, D. H., Park, J., Jang, Y. D., Lee, D., Pyun, S. H., Jeong, W. G., Jang, J. W.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Feb2010, Vol. 107 Issue 4, p043522-1-043522-4, 4p, 4 Graphs

    مصطلحات موضوعية: QUANTUM dots, PHOTOLUMINESCENCE, INDIUM arsenide, DIELECTRIC devices, ENERGY levels (Quantum mechanics), QUANTUM theory, PHYSICS research


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Convex-shaped decay curve of carriers in a vertically coupled InAs/GaAs quantum dot.

    المؤلفون: Yim, J. S.1, Jang, Y. D.1, Lee, D.1 dleee@cnu.ac.kr, Lee, H. G.2, Noh, S. K.3

    المصدر: Journal of Applied Physics. 7/15/2005, Vol. 98 Issue 2, p023518. 4p. 1 Black and White Photograph, 5 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *QUANTUM dots, *PHOTOLUMINESCENCE, *DECAY schemes (Radioactivity), *QUANTUM electronics, *SEMICONDUCTORS, *ENERGY levels (Quantum mechanics), *LUMINESCENCE


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Effects of band-offset on the carrier lifetime in InAs quantum dots on InP substrates.

    المؤلفون: Jang, Y. D.1, Kim, N. J.1, Lee, H.1, Lee, D.1, Pyun, S. H.2, Jeong, W. G.2, Jang, J. W.3, Oh, D. K.4, Kim, Jin Soo5

    المصدر: Journal of Applied Physics. 5/1/2007, Vol. 101 Issue 9, p096103. 3p. 4 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *QUANTUM dots, *SEMICONDUCTORS, *CHEMICAL vapor deposition, *ATOMIC force microscopy, *TRANSMISSION electron microscopy, *ULTRASHORT laser pulses, *ENERGY levels (Quantum mechanics), *ELECTRIC conductivity


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    The energy level spacing from InAs/GaAs quantum dots: Its relation to the emission wavelength, carrier lifetime, and zero dimensionality.

    المؤلفون: Jang, Y. D.1, Lee, H.1, Lee, D.1 dleee@cnu.ac.kr, Kim, J. S.2, Leem, J. Y.3, Noh, S. K.4

    المصدر: Journal of Applied Physics. 5/1/2006, Vol. 99 Issue 9, p096101. 3p. 3 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *QUANTUM dots, *ENERGY level densities, *INDIUM arsenide, *GALLIUM arsenide, *ENERGY levels (Quantum mechanics)


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Delayed emission from InGaAs/GaAs quantum dots grown by migration-enhanced epitaxy due to carrier localization in a wetting layer.

    المؤلفون: An, C. S.1,2, Jang, Y. D.1, Lee, H.1, Lee, D.1, Song, J. D.3, Choi, W. J.3

    المصدر: Journal of Applied Physics. May2013, Vol. 113 Issue 17, p173503-173503-4. 1p. 4 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *GALLIUM arsenide, *QUANTUM dots, *EPITAXY, *GROUND state (Quantum mechanics), *QUANTUM electronics


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث