يعرض 1 - 10 نتائج من 10 نتيجة بحث عن '"Singh, S D"', وقت الاستعلام: 1.18s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Assessment of bonding characteristic of β-(AlxGa1−x)2O3 alloys from photoluminescence and x-ray absorption near edge spectroscopy.

    المؤلفون: Bhattacharjee, Jayanta, Gupta, R. K., Singh, S. D.

    المصدر: Applied Physics Letters; 4/10/2023, Vol. 122 Issue 15, p1-6, 6p

    مصطلحات موضوعية: X-ray absorption, GALLIUM alloys, PHOTOLUMINESCENCE, ALLOYS, SPECTROMETRY, LUMINESCENCE


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Observation of mixed-mode behavior of Raman active phonon modes for β-(AlxGa1−x)2O3 alloys.

    المؤلفون: Bhattacharjee, Jayanta1,2 (AUTHOR), Singh, S. D.1,2 (AUTHOR) devsh@rrcat.gov.in

    المصدر: Applied Physics Letters. 3/13/2023, Vol. 122 Issue 11, p1-7. 7p.

    مصطلحات موضوعية: *PHONONS, *GALLIUM alloys, *ALLOYS, *RAMAN spectroscopy, *TETRAHEDRA, *OCTAHEDRA


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Erratum: "Determination of Al occupancy and local structure for β-(AlxGa1−x)2O3 alloys across nearly full composition range from Rietveld analysis" [Appl. Phys. Lett. 120, 262101 (2022)].

    المؤلفون: Bhattacharjee, Jayanta, Sagdeo, Archna, Singh, S. D.

    المصدر: Applied Physics Letters; 11/28/2022, Vol. 121 Issue 22, p1-4, 4p

    مصطلحات موضوعية: GALLIUM alloys, RIETVELD refinement, ALLOYS, BAND gaps


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Investigations on band commutativity at all oxide p-type NiO/n-type β-Ga2O3 heterojunction using photoelectron spectroscopy.

    المؤلفون: Ghosh, Sahadeb, Baral, Madhusmita, Kamparath, Rajiv, Singh, S. D., Ganguli, Tapas

    المصدر: Applied Physics Letters; 12/16/2019, Vol. 115 Issue 25, p1-5, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs

    مصطلحات موضوعية: PHOTOELECTRON spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, N-type semiconductors, P-N heterojunctions, HETEROJUNCTIONS, VALENCE bands


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Epitaxial growth and interface band alignment studies of all oxide α-Cr2O3/β-Ga2O3 p-n heterojunction.

    المؤلفون: Ghosh, Sahadeb, Baral, Madhusmita, Kamparath, Rajiv, Choudhary, R. J., Phase, D. M., Singh, S. D., Ganguli, Tapas

    المصدر: Applied Physics Letters; 8/5/2019, Vol. 115 Issue 6, pN.PAG-N.PAG, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs

    مصطلحات موضوعية: P-N heterojunctions, EPITAXY, RADIOFREQUENCY sputtering, VALENCE bands, CONDUCTION bands, OPTOELECTRONIC devices, CHROMIUM


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Epitaxial growth and band alignment properties of NiO/GaN heterojunction for light emitting diode applications.

    المؤلفون: Baraik, Kiran1 kiranb@rrcat.gov.in, Singh, S. D.1 devsh@rrcat.gov.in, Kumar, Yogesh2, Ajimsha, R. S.3, Misra, P.3,4, Jha, S. N.2,4, Ganguli, Tapas1,4

    المصدر: Applied Physics Letters. 5/8/2017, Vol. 110 Issue 19, p1-5. 6p.

    مصطلحات موضوعية: *EPITAXIAL layers, *NICKEL oxide, *GALLIUM nitride, *PHOTOELECTRON spectroscopy, *LIGHT emitting diodes


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Investigation of crystalline and electronic band alignment properties of GaP/Ge(111) heterostructure.

    المؤلفون: Dixit, V. K., Kumar, Shailendra, Singh, S. D., Khamari, S. K., Kumar, R., Tiwari, Pragya, Phase, D. M., Sharma, T. K., Oak, S. M.

    المصدر: Applied Physics Letters; 3/3/2014, Vol. 104 Issue 9, p1-5, 5p, 1 Chart, 4 Graphs

    مصطلحات موضوعية: BAND gaps, HETEROSTRUCTURES, GALLIUM phosphide, METAL organic chemical vapor deposition, EPITAXY, X-ray diffraction


    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Synchrotron based photoemission study on the band alignment and interface at ZnO/GaP hetero-junction.

    المؤلفون: Singh, S. D.1 devsh@rrcat.gov.in, Ganguli, Tapas1, Ajimsha, R. S.1, Misra, P.1, Phase, D. M.2, Kukreja, L. M.1, Deb, S. K.1

    المصدر: Applied Physics Letters. 1/6/2014, Vol. 104 Issue 1, p012109-1-012109-4. 4p. 1 Diagram, 1 Chart, 3 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *SYNCHROTRON radiation, *PHOTOELECTRON spectroscopy, *PHOTOEMISSION, *ZINC oxide, *VALENCE bands, *HETEROJUNCTIONS


    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Observation of electron confinement in InP/GaAs type-II ultrathin quantum wells.

    المؤلفون: Singh, S. D.1 devsh@rrcat.gov.in, Dixit, V. K.1, Porwal, S.1, Kumar, Ravi1, Srivastava, A. K.2, Ganguli, Tapas1, Sharma, T. K.3, Oak, S. M.1

    المصدر: Applied Physics Letters. 9/13/2010, Vol. 97 Issue 11, p111912. 3p. 1 Black and White Photograph, 3 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *QUANTUM wells, *HETEROSTRUCTURES, *INDIUM phosphide, *GALLIUM arsenide, *PHOTOLUMINESCENCE


    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Band alignment and interfacial structure of ZnO/Ge heterojunction investigated by photoelectron spectroscopy.

    المؤلفون: Singh, S. D.1, Ajimsha, R. S.1, Sahu, Vikas1, Kumar, Ravi1, Misra, P.1, Phase, D. M.2, Oak, S. M.1, Kukreja, L. M.1, Ganguli, Tapas1, Deb, S. K.1

    المصدر: Applied Physics Letters. 11/19/2012, Vol. 101 Issue 21, p212109-212109-5. 1p. 1 Chart, 4 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *HETEROJUNCTIONS, *THIN films, *ZINC oxide, *GERMANIUM, *PHOTOELECTRON spectroscopy, *PULSED laser deposition, *OPTOELECTRONIC devices


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث