Measuring of parasitic resistance of stacked chip of Si power device

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Measuring of parasitic resistance of stacked chip of Si power device
المؤلفون: Ohguro, Tatsuya, Kojima, Hideharu, Hara, Takuma, Nishiwaki, Tatsuya, Kobayashi, Kenya
المصدر: 2023 35th International Conference on Microelectronic Test Structure (ICMTS)
بيانات النشر: IEEE
سنة النشر: 2023
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/icmts55420.2023.10094137
الإتاحة: https://doi.org/10.1109/icmts55420.2023.10094137Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10094038/10094053/10094137.pdf?arnumber=10094137Test
حقوق: https://doi.org/10.15223/policy-029Test ; https://doi.org/10.15223/policy-037Test
رقم الانضمام: edsbas.3A496A4A
قاعدة البيانات: BASE