Electrical Noise Analysis of L-Shaped Gate Tunnel Field Effect Transistor
| العنوان: | Electrical Noise Analysis of L-Shaped Gate Tunnel Field Effect Transistor |
|---|---|
| المؤلفون: | Sweta Chander, Rekha Chaudhary, Sanjeet Kumar Sinha |
| المصدر: | 2022 IEEE VLSI Device Circuit and System (VLSI DCS). |
| بيانات النشر: | IEEE, 2022. |
| سنة النشر: | 2022 |
| الوصول الحر: | https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7e9bcf484e7921071ef9ba422c2593fcTest https://doi.org/10.1109/vlsidcs53788.2022.9811457Test |
| حقوق: | CLOSED |
| رقم الانضمام: | edsair.doi...........7e9bcf484e7921071ef9ba422c2593fc |
| قاعدة البيانات: | OpenAIRE |
| الوصف غير متاح. |