Impact of post deposition annealing of ZrO 2 insulating layer on the performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Impact of post deposition annealing of ZrO 2 insulating layer on the performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors
المؤلفون: Chatterjee, Abhishek, Khamari, Shailesh K., Porwal, S., Sharma, T. K.
المصدر: 2018 4th IEEE International Conference on Emerging Electronics (ICEE)
بيانات النشر: IEEE
سنة النشر: 2018
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/icee44586.2018.8938018
الإتاحة: https://doi.org/10.1109/icee44586.2018.8938018Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8933310/8937848/08938018.pdf?arnumber=8938018Test
رقم الانضمام: edsbas.DD36CA1B
قاعدة البيانات: BASE