مؤتمر
Impact of post deposition annealing of ZrO 2 insulating layer on the performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors
العنوان: | Impact of post deposition annealing of ZrO 2 insulating layer on the performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors |
---|---|
المؤلفون: | Chatterjee, Abhishek, Khamari, Shailesh K., Porwal, S., Sharma, T. K. |
المصدر: | 2018 4th IEEE International Conference on Emerging Electronics (ICEE) |
بيانات النشر: | IEEE |
سنة النشر: | 2018 |
نوع الوثيقة: | conference object |
اللغة: | unknown |
DOI: | 10.1109/icee44586.2018.8938018 |
الإتاحة: | https://doi.org/10.1109/icee44586.2018.8938018Test http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8933310/8937848/08938018.pdf?arnumber=8938018Test |
رقم الانضمام: | edsbas.DD36CA1B |
قاعدة البيانات: | BASE |
DOI: | 10.1109/icee44586.2018.8938018 |
---|