Study of strained effects in nanoscale GAA nanowire FETs using 3D Monte Carlo simulations

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Study of strained effects in nanoscale GAA nanowire FETs using 3D Monte Carlo simulations
المؤلفون: Elmessary, Muhammad A., Nagy, Daniel, Aldegunde, Manuel, Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol
المصدر: 2017 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
بيانات النشر: IEEE
سنة النشر: 2017
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/essderc.2017.8066622
الإتاحة: https://doi.org/10.1109/essderc.2017.8066622Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8059714/8066575/08066622.pdf?arnumber=8066622Test
رقم الانضمام: edsbas.86E97879
قاعدة البيانات: BASE