Scaling/LER study of Si GAA nanowire FET using 3D Finite Element Monte Carlo simulations

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Scaling/LER study of Si GAA nanowire FET using 3D Finite Element Monte Carlo simulations
المؤلفون: Elmessary, Muhammad A., Nagy, Daniel, Aldegunde, Manuel, Seoane, Natalia, Indalecio, Guillermo, Lindberg, Jari, Dettmer, Wulf, Peric, Djordje, Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol
المصدر: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)
بيانات النشر: IEEE
سنة النشر: 2016
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/ulis.2016.7440050
الإتاحة: https://doi.org/10.1109/ulis.2016.7440050Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7435614/7440031/07440050.pdf?arnumber=7440050Test
رقم الانضمام: edsbas.841DCCB4
قاعدة البيانات: BASE