Analysis of the reliability impact on high-k metal gate SRAM with assist-circuit

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Analysis of the reliability impact on high-k metal gate SRAM with assist-circuit
المؤلفون: Chiu, Y.T., Wang, Y.F., Lee, Y.-H., Liang, Y.C., Wang, T.C., Wu, S.Y., Hsieh, C.C., Wu, K.
المصدر: 2014 IEEE International Reliability Physics Symposium
بيانات النشر: IEEE
سنة النشر: 2014
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/irps.2014.6861171
الإتاحة: https://doi.org/10.1109/irps.2014.6861171Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/6850132/6860565/06861171.pdf?arnumber=6861171Test
رقم الانضمام: edsbas.8B2D92E2
قاعدة البيانات: BASE