Investigation of tunneling field effect transistor reliability

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Investigation of tunneling field effect transistor reliability
المؤلفون: Jiao, G. F., Huang, X. Y., Chen, Z. X., Cao, W., Huang, D. M., Yu, H. Y., Singh, N., Lo, G. Q., Kwong, D.-L., Li, Ming-Fu
المصدر: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
بيانات النشر: IEEE
سنة النشر: 2010
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/icsict.2010.5667426
الإتاحة: https://doi.org/10.1109/icsict.2010.5667426Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/5658734/5667273/05667426.pdf?arnumber=5667426Test
رقم الانضمام: edsbas.10E01F40
قاعدة البيانات: BASE