مؤتمر
High-k/metal Gate GeOI pMOSFET: Validation of the Lim&Fossum model for interface trap density extraction
| العنوان: | High-k/metal Gate GeOI pMOSFET: Validation of the Lim&Fossum model for interface trap density extraction |
|---|---|
| المؤلفون: | Romanjek, K., Le Royer, C., Pouydebasque, A., Augendre, E., Vinet, M., Tabone, C., Sanchez, L., Hartmann, J.-M., Grampeix, H., Mazzocchi, V., Clavelier, L., Garros, X., Reimbold, G., Naval, N., Boulanger, F., Deleonibus, S. |
| المصدر: | 2008 IEEE International SOI Conference |
| بيانات النشر: | IEEE |
| سنة النشر: | 2008 |
| نوع الوثيقة: | conference object |
| اللغة: | unknown |
| DOI: | 10.1109/soi.2008.4656337 |
| الإتاحة: | https://doi.org/10.1109/soi.2008.4656337Test http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/4651692/4656263/04656337.pdf?arnumber=4656337Test |
| رقم الانضمام: | edsbas.AAD0B646 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.1109/soi.2008.4656337 |
|---|