High power and low resistive GaInNAs-VCSELs with buried tunnel junctions

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: High power and low resistive GaInNAs-VCSELs with buried tunnel junctions
المؤلفون: Yutaka Onishi, Nobuhiro Saga, Kenji Koyama, Hideyuki Doi, Takashi Ishizuka, Takashi Yamada, Kosuke Fujii, Hiroki Mori, Junichi Hashimoto, Mitsuru Shimazu, Tsukuru Katsuyama
المصدر: 2008 IEEE 21st International Semiconductor Laser Conference
بيانات النشر: IEEE
سنة النشر: 2008
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/islc.2008.4636005
الإتاحة: https://doi.org/10.1109/islc.2008.4636005Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/4629856/4635974/04636005.pdf?arnumber=4636005Test
رقم الانضمام: edsbas.FADA6EE7
قاعدة البيانات: BASE