Will strain be useful for 10nm quasi-ballistic FDSOI devices? An experimental study

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Will strain be useful for 10nm quasi-ballistic FDSOI devices? An experimental study
المؤلفون: Barral, V., Poiroux, T., Rochette, F., Vinet, M., Barraud, S., Faynot, O., Tosti, L., Andrieu, F., Casse, M., Previtali, B., Ritzenthaler, R., Grosgeorges, P., Bernard, E., LeCarval, G., Munteanu, D., Autran, J.L., Deleonibus, S.
المصدر: 2007 IEEE Symposium on VLSI Technology
بيانات النشر: IEEE
سنة النشر: 2007
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/vlsit.2007.4339754
الإتاحة: https://doi.org/10.1109/vlsit.2007.4339754Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/4339664/4339665/04339754.pdf?arnumber=4339754Test
رقم الانضمام: edsbas.25A20E34
قاعدة البيانات: BASE