مؤتمر
Will strain be useful for 10nm quasi-ballistic FDSOI devices? An experimental study
العنوان: | Will strain be useful for 10nm quasi-ballistic FDSOI devices? An experimental study |
---|---|
المؤلفون: | Barral, V., Poiroux, T., Rochette, F., Vinet, M., Barraud, S., Faynot, O., Tosti, L., Andrieu, F., Casse, M., Previtali, B., Ritzenthaler, R., Grosgeorges, P., Bernard, E., LeCarval, G., Munteanu, D., Autran, J.L., Deleonibus, S. |
المصدر: | 2007 IEEE Symposium on VLSI Technology |
بيانات النشر: | IEEE |
سنة النشر: | 2007 |
نوع الوثيقة: | conference object |
اللغة: | unknown |
DOI: | 10.1109/vlsit.2007.4339754 |
الإتاحة: | https://doi.org/10.1109/vlsit.2007.4339754Test http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/4339664/4339665/04339754.pdf?arnumber=4339754Test |
رقم الانضمام: | edsbas.25A20E34 |
قاعدة البيانات: | BASE |
DOI: | 10.1109/vlsit.2007.4339754 |
---|