يعرض 1 - 10 نتائج من 16 نتيجة بحث عن '"Klinger D"', وقت الاستعلام: 0.62s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    TOF-OFF: A method for determining focal positions in tightly focused free-electron laser experiments by measurement of ejected ions.

    المؤلفون: Iwan, B., Andreasson, J., Andrejczuk, A., Abreu, E., Bergh, M., Caleman, C., Nelson, A.J., Bajt, S., Chalupsky, J., Chapman, H.N., Fäustlin, R.R., Hajkova, V., Heimann, P.A., Hjörvarsson, B., Juha, L., Klinger, D., Krzywinski, J., Nagler, B., Pálsson, G.K., Singer, W.

    المصدر: High Energy Density Physics; Dec2011, Vol. 7 Issue 4, p336-342, 7p

    مصطلحات موضوعية: TIME-of-flight mass spectrometry, FREE electron lasers, PHYSICS experiments, ION accelerators, NUCLEAR energy, VACUUM

    مصطلحات جغرافية: HAMBURG (Germany), GERMANY


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Abstract No. 68 Evaluation of the role of antiplatelet therapy in hemodialysis access graft patency following successful percutaneous thrombectomy.

    المؤلفون: Nagaraj, A., White, S., Johnson, C., Roza, A., Klinger, D., Smolock, A.

    المصدر: Journal of Vascular & Interventional Radiology; 2021 Supplement, Vol. 32 Issue 5, pS30-S30, 1p


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية
    Evolution of defect structure of Ge-implanted Si crystal during nanosecond laser annealing

    المؤلفون: Klinger, D., Auleytner, J., Żymierska, D., Kozankiewicz, B., Barcz, A., Nowicki, L., Stonert, A.

    المصدر: The European Physical Journal Applied Physics; July 2004, Vol. 27 Issue: 1 p149-153, 5p


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية
    Evolution of defect structure of Ge-implanted Si crystal during nanosecond laser annealing

    المؤلفون: Klinger, D., Auleytner, J., Żymierska, D., Kozankiewicz, B., Barcz, A., Nowicki, L., Stonert, A.

    المصدر: The European Physical Journal Applied Physics; 2004, Vol. 27 Issue: 1-3 p149-153, 5p


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية
    Extended defect structure induced by pulsed laser annealing in Ge implanted Si crystal

    المؤلفون: Klinger, D., Lefeld-Sosnowska, M., Auleytner, J., Zymierska, D., Nowicki, L., Stonert, A., Kwiatkowski, S.

    المصدر: Journal of Alloys and Compounds; 2001, Vol. 328 Issue: 1 p242-247, 6p


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية
    Study of Extended Defect Structure Induced by Pulsed Laser Annealing in Implanted Silicon Crystals

    المؤلفون: Klinger, D., Lefeld-Sosnowska, M., Żymierska, D., Auleytner, J., Kozankiewicz, B., Regiński, K.

    المصدر: Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science; January 1999, Vol. 171 Issue: 1 p389-394, 6p


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية
    X-ray diffraction and Raman scattering study of near-surface structure perfection of GaAs single crystals after anisotropic etching

    المؤلفون: Dmitruk, I., Dmitruk, N., Domagala, J., Klinger, D., Zymierska, D., Auleytner, J.

    المصدر: Journal of Alloys and Compounds; 1999, Vol. 286 Issue: 1 p289-296, 8p


    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية
    Studies of the near-surface layers of silicon crystals implanted with fast ions

    المؤلفون: Żymierska, D., Klinger, D., Auleytner, J., Czosnyka, T., Datsenko, L.

    المصدر: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B; December 1998, Vol. 146 Issue: 1-4 p350-355, 6p


    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية
    Theoretical Study of Recrystallization Process of Amorphous Ge Layer Subjected to Pulsed Excimer (XeCl) Laser Radiation

    المؤلفون: Klinger, D., Auleytner, J., Z̊ymierska, D.

    المصدر: Crystal Research and Technology; 1997, Vol. 32 Issue: 7 p983-987, 5p


    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية
    Studies on correlation between the quality of GaAs LEC crystals and the inert gas pressure

    المؤلفون: Seifert, M., Neubert, M., Ulrici, W., Wiedemann, B., Donecker, J., Kluge, J., Wolf, E., Klinger, D., Rudolph, P.

    المصدر: Journal of Crystal Growth; 1996, Vol. 158 Issue: 4 p409-417, 9p


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث