يعرض 1 - 10 نتائج من 38 نتيجة بحث عن '"Kalna, Karol"', وقت الاستعلام: 0.60s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Multilevel 3-D Device Simulation Approach Applied to Deeply Scaled Nanowire Field Effect Transistors.

    المؤلفون: Seoane, Natalia, Kalna, Karol, Cartoixa, Xavier, Garcia-Loureiro, Antonio

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Sep2022, Vol. 69 Issue 9, p5276-5282, 7p

    مصطلحات موضوعية: FIELD-effect transistors, SILICON nanowires, NANOWIRES, QUANTUM gates, SEMICONDUCTOR devices, COMPUTER-aided design


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Thickness Effect on the Solid-State Reaction of a Ni/GaAs System.

    المؤلفون: Rabhi, Selma, Oueldna, Nouredine, Perrin-Pellegrino, Carine, Portavoce, Alain, Kalna, Karol, Benoudia, Mohamed Cherif, Hoummada, Khalid

    المصدر: Nanomaterials (2079-4991); Aug2022, Vol. 12 Issue 15, p2633-2633, 11p

    مصطلحات موضوعية: GALLIUM arsenide, ATOM-probe tomography, AUDITING standards, MAGNETRON sputtering, THIN films

    النص الكامل

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Simulations of Statistical Variability in n -Type FinFET, Nanowire, and Nanosheet FETs.

    المؤلفون: Seoane, Natalia, Fernandez, Julian G., Kalna, Karol, Comesana, Enrique, Garcia-Loureiro, Antonio

    المصدر: IEEE Electron Device Letters; Oct2021, Vol. 42 Issue 10, p1416-1419, 4p

    مصطلحات موضوعية: THRESHOLD voltage, SCHRODINGER equation, NANOWIRES, FIELD-effect transistors, STANDARD deviations, SILICON nanowires


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Impact of interface traps/defects and self-heating on the degradation of performance of a 4H-SiC VDMOSFET.

    المؤلفون: Alqaysi, Mustafa H., Martinez, Antonio, Ahmeda, Khaled, Ubochi, Brendan, Kalna, Karol

    المصدر: IET Power Electronics (Wiley-Blackwell); 2019, Vol. 12 Issue 11, p1-10, 10p

    مصطلحات موضوعية: METAL oxide semiconductor field-effect transistors, ANNEALING of metals, THRESHOLD voltage

    النص الكامل

    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Impact of Cross-Sectional Shape on 10-nm Gate Length InGaAs FinFET Performance and Variability.

    المؤلفون: Seoane, Natalia, Indalecio, Guillermo, Nagy, Daniel, García-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2018, Vol. 65 Issue 2, p456-462, 7p

    مصطلحات موضوعية: NANOSTRUCTURED materials, FINITE element method, MONTE Carlo method, DIFFUSION, DENSITY, FABRICATION (Manufacturing)


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Metal Grain Granularity Study on a Gate-All-Around Nanowire FET.

    المؤلفون: Nagy, Daniel, Indalecio, Guillermo, Garcia-Loureiro, Antonio J., Elmessary, Muhammad A., Kalna, Karol, Seoane, Natalia

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Dec2017, Vol. 64 Issue 12, p5263-5269, 7p

    مصطلحات موضوعية: FIELD-effect transistors, FIELD-effect devices, SIMULATION methods & models, SEMICONDUCTOR devices, QUANTUM theory


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Buffer Trap Related Knee Walkout and the Effects of Self-Heating in AlGaN/GaN HEMTs.

    المؤلفون: Ubochi, Brendan, Ahmeda, Khaled, Kalna, Karol

    المصدر: ECS Journal of Solid State Science & Technology; 2017, Vol. 6 Issue 11, pS3005-S3009, 6p, 1 Chart


    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    مؤتمر
    Scaling/LER study of Si GAA nanowire FET using 3D Finite Element Monte Carlo simulations.

    المؤلفون: Elmessary, Muhammad A., Nagy, Daniel, Aldegunde, Manuel, Seoane, Natalia, Indalecio, Guillermo, Lindberg, Jari, Dettmer, Wulf, Peric, Djordje, Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol

    المصدر: 2016 Joint International EUROSOI Workshop & International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS); 2016, p52-55, 4p


    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Fluctuation Sensitivity Map: A Novel Technique to Characterise and Predict Device Behaviour Under Metal Grain Work-Function Variability Effects.

    المؤلفون: Indalecio, Guillermo, Seoane, Natalia, Kalna, Karol, Garcia-Loureiro, Antonio J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Apr2017, Vol. 64 Issue 4, p1695-1701, 7p

    مصطلحات موضوعية: FET switches, INTRINSIC semiconductors, PARAMETER estimation, SENSITIVITY analysis, VORONOI polygons


    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Device and Circuit Performance of the Future Hybrid III–V and Ge-Based CMOS Technology.

    المؤلفون: Benbakhti, Brahim, Chan, Kah Hou, Soltani, Ali, Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2016, Vol. 63 Issue 10, p3893-3899, 7p

    مصطلحات موضوعية: COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors, QUANTUM wells, MONTE Carlo method, DRIFT diffusion models, ELECTRIC discharges


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث