التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
Nouveau matériau semi-conducteur à large bande interdite à base de carbures ternaires - Enquête sur Al4SiC4 ; Novel wide bandgap semiconductor material based on ternary carbides - An investigation into Al4SiC4 |
| المؤلفون: |
Forster, Simon |
| المساهمون: |
Université Grenoble Alpes (ComUE), University of Swansea (Swansea (GB)), Chaussende, Didier, Kalna, Karol |
| سنة النشر: |
2019 |
| المجموعة: |
theses.fr |
| مصطلحات موضوعية: |
Simulation, Monte Carlo, Expérimental, Experimental |
| الوقت: |
620 |
| الوصف: |
Les matériaux semi-conducteurs à large bande interdite sont capables de résister aux environnements difficiles et de fonctionner dans une large plage de températures. Celles-ci sont idéales pour de nombreuses applications telles que les capteurs, la haute puissance et les radiofréquences.Cependant, des matériaux plus nouveaux sont nécessaires pour atteindre une efficacité énergétique significative dans diverses applications ou pour développer de nouvelles applications destinées à compléter les semi-conducteurs à bande interdite tels que le GaN et le SiC.Dans cette thèse, trois méthodes différentes sont utilisées pour étudier l’un de ces nouveauxmatériaux, carbure d'aluminium et de silicium (Al4SiC4): (1) simulations d'ensemble de Monte Carloafin d'étudier les propriétés de transport d'électrons du nouveau carbure ternaire, (2)études expérimentales pour déterminer ses propriétés matérielles et (3) simulations de dispositifsd'un dispositif à hétérostructure rendu possible par ce carbure ternaire. Toutes ces méthodesinterconnecter les uns avec les autres. Les données de chacun d’eux peuvent alimenter l’autre pour acquérir de nouvelles connaissances.résultats ou affiner les résultats obtenus conduisant ainsi à des propriétés électriques attrayantes telles qu’une bande interdite de 2,78 eV ou une vitesse de dérive maximale de 1,35 × 10 cm s.Ensemble Monte Carlo, développé en interne pour les simulations de Si, Ge, GaAs,AlxGa1-xAs, AlAs et InSb; est adopté pour les simulations du carbure ternaire en ajoutant untransformation de la nouvelle vallée pour tenir compte de la structure hexagonale de Al4SiC4. Nous prédisonsune vitesse maximale de dérive des électrons de 1,35 × 107 cm-1 à un champ électrique de 1400 kVcm-1 et une mobilité maximale des électrons de 82,9 cm V s. Nous avons vu une constante de diffusion de 2,14 cm2s-1 à un champ électrique faible et de 0,25 cm2s-1 à un champ électrique élevé. Enfin nousmontrer que Al4SiC4 a un champ critique de 1831 kVcmOn utilise des cristaux semi-conducteurs qui avaient été ... |
| نوع الوثيقة: |
thesis |
| اللغة: |
English |
| العلاقة: |
http://www.theses.fr/2019GREAI095/documentTest |
| الإتاحة: |
http://www.theses.fr/2019GREAI095/documentTest |
| حقوق: |
Open Access ; http://purl.org/eprint/accessRights/OpenAccessTest |
| رقم الانضمام: |
edsbas.548E05E9 |
| قاعدة البيانات: |
BASE |
