رسالة جامعية
Selective growth study by tertiary-butyl chloride (TBCl) assisted MOVPE. Application to the realisation so electro-optical modulators on InP substrate. ; Croissance sélective d'InP dopé fer par MOVPE assistée par Tertio-Butyle de chlore (TBCl). Application à la réalisation de modulateurs électro-optiques à base de GaInAsP et d'AlGaInAs sur substrat InP
| العنوان: | Selective growth study by tertiary-butyl chloride (TBCl) assisted MOVPE. Application to the realisation so electro-optical modulators on InP substrate. ; Croissance sélective d'InP dopé fer par MOVPE assistée par Tertio-Butyle de chlore (TBCl). Application à la réalisation de modulateurs électro-optiques à base de GaInAsP et d'AlGaInAs sur substrat InP |
|---|---|
| المؤلفون: | Gouraud, Stéphane |
| المساهمون: | Laboratoire des sciences et matériaux pour l'électronique et d'automatique (LASMEA), Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand 2 (UBP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II, Evelyne Gil-Lafon |
| المصدر: | https://theses.hal.science/tel-00666985Test ; Electronique. Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II, 2005. Français. ⟨NNT : 2005CLF21576⟩. |
| بيانات النشر: | HAL CCSD |
| سنة النشر: | 2005 |
| المجموعة: | HAL Clermont Auvergne (Université Blaise Pascal Clermont-Ferrand / Université d'Auvergne) |
| مصطلحات موضوعية: | modulateurs électro-optique, electro-optical modulators, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics |
| الوصف: | Fabrication of 40 GBits/s Semi-Insulating Buried Heterostructure (SIBH) electroabsorbtion modulatoirs based on GaInAsP or AlGalnAs grown on InP substrates and buried in Fe doped semi-insultataing InP by Metal-Oganic Vaport Phase Epitaxy (MOVPE) requires the optimization of : MOVPE growth conditions to obtain planarized surface after regrowth on high (> 5 µm)modulatoir stipes in order to allw components fabrication, optimization, of semi-insulating behavior of Fe-doped InP to reach 40 GBits/s and optimization of the regrowth interface between modulator stripe and the semi-insulating InP to allow functionning in reverse polarization. This PhD contributes to the development and the fabrication of components possessing these characteristics with the help of Tertiary-Butyl Chloride (TBCI or (CH3)3CCI) during the MOVPE growth. ; La fabrication de modulateurs electroabsorbants fonctionnant à 40 GBits/s de type SIBH ( Semi-Insulating Buried Heterostructure) à base de GaInAsP ou D'AlGaInAs sur substrat d'InP et enterrés dans de l'InP semi-isolant dopé Fer par Epitaxie en Phase Vapeur aux Organo-Métalliques (MOVPE) nécessite l'optimisation : des conditions de croissance MOVPE pour obtenir la planarisation de la surface après reprise sur rubans modulateurs de fortes (> 5mum) et permettre la fabrications des composants, du caractère semi-isolant de l'InP de confinement dopé Fer (résistivité>10 puissance 8 ohm.cm) pour atteindre le débit de 40 GBits/s et de l'interface de reprise entre le ruban et le confinement en InP semi-isolant pour le fonctionnement des composants en régime de polarisation inverse. Cette thèse contribue au développement et à la fabrication de composants possédants ces caractéristiques grâce à l'ajout de Tertio-Butyle de Chlore (TBCl ou (CH3)3CCl) au cours de la croissance par MOVPE. |
| نوع الوثيقة: | doctoral or postdoctoral thesis |
| اللغة: | French |
| العلاقة: | NNT: 2005CLF21576; tel-00666985; https://theses.hal.science/tel-00666985Test; https://theses.hal.science/tel-00666985/documentTest; https://theses.hal.science/tel-00666985/file/2005CLF21576.pdfTest |
| الإتاحة: | https://theses.hal.science/tel-00666985Test https://theses.hal.science/tel-00666985/documentTest https://theses.hal.science/tel-00666985/file/2005CLF21576.pdfTest |
| حقوق: | info:eu-repo/semantics/OpenAccess |
| رقم الانضمام: | edsbas.DF92F059 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| الوصف غير متاح. |