دورية أكاديمية

Study of Schottky barrier height modulation for NiSi/Si contact with an antimony interlayer

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Study of Schottky barrier height modulation for NiSi/Si contact with an antimony interlayer
المؤلفون: Guo, Xiao, Tang, Yang, Jiang, Yu-Long, Qu, Xin-Ping, Ru, Guo-Ping, Zhang, David Wei, Deduytsche, Davy, Detavernier, Christophe
المصدر: MICROELECTRONIC ENGINEERING ; ISSN: 0167-9317
سنة النشر: 2013
المجموعة: Ghent University Academic Bibliography
مصطلحات موضوعية: Physics and Astronomy, SI, SB, Antimony interlayer, Si(110) substrate, SBH modulation, SILICON, SOLID-PHASE EPITAXY, DIFFUSION
نوع الوثيقة: article in journal/newspaper
وصف الملف: application/pdf
اللغة: English
العلاقة: https://biblio.ugent.be/publication/4357511Test; http://hdl.handle.net/1854/LU-4357511Test; http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2013.01.006Test; https://biblio.ugent.be/publication/4357511/file/4357530Test
DOI: 10.1016/j.mee.2013.01.006
الإتاحة: https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.01.006Test
https://biblio.ugent.be/publication/4357511Test
http://hdl.handle.net/1854/LU-4357511Test
https://biblio.ugent.be/publication/4357511/file/4357530Test
حقوق: No license (in copyright) ; info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
رقم الانضمام: edsbas.1F5D7268
قاعدة البيانات: BASE