-
1رسالة جامعية
المؤلفون: Türkeri, Murat
المساهمون: Güllü, Ömer, Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı, orcid:0009-0003-8015-7875
مصطلحات موضوعية: İnce Film, MIS Diyot, MgO, Sprey Piroliz, MIS Diode, Spray Prolysis, Thin Film
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Tez; Türkeri, M.(2023). Metal katkılı magnezyum oksit ince filmlerin üretimi ve devre elemanlarında uygulaması. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman.; https://hdl.handle.net/20.500.12402/4450Test
-
2رسالة جامعية
المؤلفون: Akkuş, Mehmet Murat
المساهمون: Güllü, Ömer, Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı, orcid:0009-0003-8015-7875
مصطلحات موضوعية: Akım-Voltaj, MIS Diyot, Sprey Piroliz, TiO2, Current-Voltage, MIS Diode, Spray Prolysis
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Tez; Akkuş, M. M.(2023). Sprey piroliz yöntemi kullanılarak TiO2 ince filminin üretimi ve metal/TiO2/Sİ MIS yapılarda uygulanması. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman.; https://hdl.handle.net/20.500.12402/4449Test
-
3مؤتمر
المؤلفون: Güllü, Ömer
المساهمون: Batman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, orcid:0000-0002-3785-6190
مصطلحات موضوعية: Organic Dye Film, MIS Diode, Series Resistance, Interface States
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: International Conference on Medicine and Natural Sciences; Konferans Öğesi - Uluslararası - Kurum Öğretim Elemanı; Güllü, Ö. (2016). Barrier modification by methyl violet organic dye molecules of Ag p InP structures. European Journal of Interdisciplinary Studies, 2(3).; https://hdl.handle.net/20.500.12402/2896Test
-
4رسالة جامعية
المؤلفون: Altunışık, Celal
المساهمون: Güllü, Ömer, Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı, orcid:0000-0003-1449-9976
مصطلحات موضوعية: Silisyum, MIS Diyot, Congo Red, Arayüzey Hal Yoğunluğu, Silicon, MIS Diode, Interfacial State Density
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Tez; Altunışık, C. (2022). Al/Congo Red/P-Tipi Si yarıiletken diyotlarının elektronik ve arayüzey özellikleri üzerine gama ışınlamasının etkisi. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman.; https://hdl.handle.net/20.500.12402/4160Test
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Özden, Şadan, Pakma, Osman
المساهمون: Batman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, orcid:0000-0003-0716-9194, orcid:0000-0002-3098-0973
مصطلحات موضوعية: High Dielectric Materials, Sol-Gel, MIS Devices
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Gazi University Journal of Science; Makale - Uluslararası Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı; Özden, Ş., Pakma, O. (2017). Interface effects of annealing temperatures in Al/HfO2/p-Si (MIS) structures. Gazi University Journal of Science, 30 (3), pp. 273-280.; https://dergipark.org.tr/en/download/article-file/342790Test; https://hdl.handle.net/20.500.12402/2874Test; 30; 273; 280
-
6مؤتمر
المؤلفون: Güllü, Ömer, Pakma, Osman, Turut, Abdulmecit, Arsel, İsmail
المساهمون: Batman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, orcid:0000-0002-3785-6190
مصطلحات موضوعية: MIS Diode, Schottky Barrier, Ideality Factor, Congo Red, Dye
العلاقة: Adım Fizik Günleri IV, 28 – 29 Mayıs 2015; Konferans Öğesi - Ulusal - Kurum Öğretim Elemanı; Güllü, Ö., Pakma, O., Turut, A., Arsel, İ. (2015). Electrical characteristics of the Al/Congo Red (CR)/p-Si semiconductor diodes. Adım Fizik Günleri IV, 28 – 29 Mayıs 2015, Kütahya; https://adimfizik4.dpu.edu.trTest/; https://hdl.handle.net/20.500.12402/2934Test
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Arsel, İsmail
المساهمون: Batman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, TR47967
مصطلحات موضوعية: Sol-gel method, Al/TiO2/p-Si (MIS) structures, Interface state density, Series resistance, Frequency dependence, MİS: Metal Insulator Semiconductor (Metal-Yalıtkan – Yarıiletken), Sol-gel metodu, Al/TiO2/p-Si (MIS) yapılar, Arayüzey durum yoğunluğu, Seri dirençler, Frekansa bağlılık
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Batman Üniversitesi Yaşam Bilimleri Dergisi; Makale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Yayını; http://www.yasambilimleridergisi.com/makale/pdf/1363021222.pdfTest; https://hdl.handle.net/20.500.12402/1547Test; 29; 38
-
8رسالة جامعية
المؤلفون: Erdem, Emine
المساهمون: Güllü, Ömer, Batman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, orcid:0000-0003-1131-2301
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Tez; Erdem, E. (2021). Sılar yöntemi kullanılarak pbo ince filminin üretimi ve pb/pbo/p-si mıs kontaklarının elektronik ve arayüzey özellikleri. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Batman.; https://hdl.handle.net/20.500.12402/2624Test
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Güllü, Ömer, Erdoğan, İbrahim Yasin
المساهمون: Batman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, orcid:0000-0002-3785-6190
مصطلحات موضوعية: MIS Diode, Nanofilms, Cr2O3, Metal Oxides, Schottky Barrier, Band Gap
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Applied Surface Science; Makale - Uluslararası Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı; Güllü, Ö., Erdoğan, İ.Y (2010). Silicon MIS diodes with Cr2O3 nanofilm Optical morphological structural and electronic transport properties. Applied Surface Science, 256(13). pp. 4185-4191. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.01.122Test; https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.01.122Test; https://hdl.handle.net/20.500.12402/2878Test; 256; 13; 4185; 4191
الإتاحة: https://doi.org/20.500.12402/2878Test
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.01.122Test
https://hdl.handle.net/20.500.12402/2878Test -
10دورية أكاديمية
المؤلفون: Güllü, Ömer, Erdoğan, İbrahim Yasin
المساهمون: Batman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, orcid:0000-0002-3785-6190
مصطلحات موضوعية: MIS Diode, Nanofilms, Cuo, Metal Oxides, Schottky Barrier, Band Gap
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Journal of Alloys and Compounds; Makale - Uluslararası Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı; Güllü, Ö., Erdoğan, İ.Y. (2010). Optical and structural properties of CuO nanofilm Its diode application. Journal of Alloys and Compounds. 492(1-2). pp.378-383. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2009.11.109Test; https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2009.11.109Test; https://hdl.handle.net/20.500.12402/2876Test; 492; 1-2; 378; 383
الإتاحة: https://doi.org/20.500.12402/2876Test
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2009.11.109Test
https://hdl.handle.net/20.500.12402/2876Test
