يعرض 1 - 10 نتائج من 33 نتيجة بحث عن '"Wakimoto, H"', وقت الاستعلام: 0.75s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Hybrid isolation process with deep diffusion and V-groove for reverse blocking IGBTs.

    المؤلفون: Nakazawa, H., Ogino, M., Wakimoto, H., Nakajima, T., Takahashi, Y., Lu, D.H.

    المصدر: 2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD); 2011, p116-119, 4p


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Advanced three-level converter with newly developed 1200V reverse blocking IGBTs.

    المؤلفون: Igarashi, S., Miyashita, S., Wakimoto, H., Nakazawa, H., Okuma, Y.

    المصدر: Proceedings of the 2011-14th European Conference on Power Electronics & Applications (EPE 2011); 2011, p1-7, 7p


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    مؤتمر
    A 600V super low loss IGBT with advanced micro-P structure for the next generation IPM.

    المؤلفون: Momose, M., Kumada, K., Wakimoto, H., Onozawa, Y., Nakamori, A., Sekigawa, K., Watanabe, M., Yamazaki, T., Fujishima, N.

    المصدر: 2010 22nd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD); 2010, p379-382, 4p


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    مؤتمر
    Internal stress analysis of Halbach array magnets with application to linear synchronous motors.

    المؤلفون: Sakamoto, T., Wakimoto, H.

    المصدر: 2008 International Symposium on Power Electronics, Electrical Drives, Automation & Motion; 2008, p136-141, 6p


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    مؤتمر
    Evaluation of 600 V/100 A NPT-IGBT with a non-self-align shallow p-well formation techniques.

    المؤلفون: Otsuki, M., Momota, S., Kirisawa, M., Wakimoto, H., Seki, Y.

    المصدر: 12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094); 2000, p225-228, 4p


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    مؤتمر
    A 2-V operation RF front-end GaAs MMIC for PHS hand-set.

    المؤلفون: Seshita, T., Kawakyu, K., Wakimoto, H., Nagaoka, M., Kitaura, Y., Uchitomi, N.

    المصدر: 1998 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium Digest of Papers (Cat No98CH36182); 1998, p201-204, 4p


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    مؤتمر
    Ruggedness and reliability of the 2.5 kV-1.8 kA power pack IGBT with a novel multi-collector structure.

    المؤلفون: Koga, T., Yamazaki, K., Wakimoto, H., Takahashi, Y., Kirihata, H., Seki, Y.

    المصدر: Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs ISPSD'98 (IEEE Cat No98CH36212); 1998, p437-440, 4p


    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    مؤتمر
    A 10ghz Gaas 8b Multiplexer/demultiplexer Chip Set For The Sonet Sts-192 System.

    المؤلفون: Ishida, K., Wakimoto, H., Tomita, K., Kitaura, Y., Suzuki, T., Yoshihara, K., Konno, M., Shimizu, S., Uchitomi, N.

    المصدر: 1991 IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers; 1991, p138-305, 168p


    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    مؤتمر
    12 Gbps GaAs 2-bit multiplexer/demultiplexer chip set for the SONET STS-192 system.

    المؤلفون: Ishida, K., Wakimoto, H., Yoshihara, K., Konno, M., Shimizu, S., Uchitomi, N., Toyoda, N.

    المصدر: 11th Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium; 1989, p317-320, 4p


    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    مؤتمر
    Single low voltage supply operation GaAs power MESFET amplifier with low-distortion gain-variable attenuator for 1.9-GHz personal handy phone systems.

    المؤلفون: Nagaoka, M., Wakimoto, H., Seshita, T., Kawakyu, K., Kitaura, Y., Kameyama, A., Uchitomi, N.

    المصدر: GaAs IC Symposium IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium 19th Annual Technical Digest 1997; 1997, p49-52, 4p


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث